Energetický průmysl je jedním z důležitých trhů pro výkonové polovodiče SiC

Energetický průmysl je jedním z důležitých trhů pro výkonové polovodiče SiC

Zejména díky nízké spotřebě energie ve vysoce výkonných aplikacích. Polovodiče třetí generace reprezentované SiC mají výhody, jako je bandgap, vysoká tepelná vodivost, vysoká průrazná síla pole, vysoká rychlost saturačního elektronového driftu, stabilní chemické vlastnosti, vysoká tvrdost, odolnost proti opotřebení, vysoká vazba a energie a odolnost vůči záření. Mohou být široce používány při výrobě vysokoteplotních, vysokofrekvenčních, vysoce výkonných, radiaci odolných, vysoce výkonných a vysokohustotních integrovaných elektronických zařízení.

Komponenty vyrobené s SiC zahrnují diody, různé typy tranzistorů (jako MOSFET, JFET a IGBT) a tyristory s hradlovým odpojením. Pomocí těchto základních stavebních bloků lze vytvořit menší, lehčí a vysoce účinné výkonové moduly pro přepínání napájení ze zátěže nebo ze zátěže, stejně jako pro konverzi. Výkonová elektronická zařízení vyvinutá pomocí SiC substrátů lze použít v oblastech výkonové elektroniky, jako je přenos a transformace, výroba větrné energie, solární energie, hybridní vozidla atd., což snižuje ztráty energie, výrobu tepla, vysokoteplotní provoz, zlepšuje účinnost a zvyšuje spolehlivost.

V prvních případech použití Tesla integrovala výkonové moduly na bázi SiC MOSFET od STMicroelectronics do měniče Model 3. Model 3 má hlavní invertor, který vyžaduje 24 výkonových modulů, z nichž každý je založen na dvou jádrech MOSFET z karbidu křemíku. Každý vůz má celkem 48 jader SiC MOSFET. Tyto MOSFETy vyrábí italská továrna na polovodičové destičky se sídlem v Catanii v Itálii.

Již v květnu 2014 Toyota oznámila použití výkonových polovodičů SiC ke zvýšení palivové účinnosti hybridních vozidel o 10 % (v rámci testovacího cyklu JC08 japonského ministerstva půdy, infrastruktury, dopravy) a snížení používání automobilů. Ve srovnání se současným PCU obsahujícím pouze výkonové polovodiče Si se velikost řídicí jednotky výkonu (PCU) zmenšila o 80 %. Kvůli nedostatečným SiC waferům (substráty) je však Toyota zatím nepřijala.

Www.superbheater.com