Fotoelektrické vlastnosti tenkých vrstev ITO připravených různými procesy vakuového postříbření jsou zcela odlišné

Fotoelektrické vlastnosti tenkých vrstev ITO připravených různými procesy vakuového postříbření jsou zcela odlišné

Při použití slitinového terče k přípravě tenkého filmu ITO je díky silné elektrochemické reakci kyslíku jako reaktivního plynu s terčem během procesu naprašování povrch terče pokrytý vrstvou sloučeniny, takže oblast eroze naprašováním je velmi malé (běžně známé jako "" target poisoning ", takže je obtížné stabilně připravit kvalitní ITO filmy DC naprašováním. To znamená, že při použití slitinového terče magnetronového naprašování je okno procesních parametrů velmi úzké a extrémně nestabilní. Protože keramický terč může inhibovat selektivní rozprašování kyslíku během procesu naprašování, může stabilně tvořit reaktanty kovového india, cínu a kyslíku podle požadovaného chemického poměru, takže nedochází k jevu otravy a proces Okno je široké. Dobrá stabilita. To však neznamená, že keramický terč vyřešil všechny problémy. Fotoelektrické vlastnosti tenkých vrstev jsou stále ovlivněny hlavními parametry procesu, jako je teplota substrátu, rozprašovací napětí a obsah kyslíku. Fotoelektrické vlastnosti tenkých vrstev ITO připravených různými procesy jsou zcela odlišné.

Vakuové stříbro indium oxid cínu

Film z oxidu india a cínu je široce používaný transparentní vodivý materiál, který se zrale používá v čelních sklech motorových vozidel, zobrazovacích zařízeních s tekutými krystaly, solárních článcích, holografii a barevných televizorech z tekutých krystalů atd. Displej s diodami vyzařujícími světlo (Organic Light-Emitting Diode označované jako OLED). Z aplikačního hlediska je obvykle požadováno složení ITO filmu In2O3 a SnO2 a čím méně nízkomocných sloučenin india a cínu ve filmu bude, tím lépe. Existuje mnoho způsobů přípravy tenkých vrstev ITO, jako je stříkání, odpařování, vysokofrekvenční naprašování a magnetronové naprašování.

www.superbheater.com